机译:超低功耗,工艺容差10T(pT10T)sRam,具有改进的物联网(IoT)应用的读/写能力
机译:超低功耗,过程耐受性10T(PT10T)SRAM,具有改进的物联网(IoT)应用读写能力
机译:具有超低写入位线电压摆幅的超低功耗读解耦SRAM
机译:强大的超低功耗,数据相关的电源供电的11T SRAM单元,具有扩展的读/写稳定性,用于互联网应用程序
机译:具有无干扰的10T SRAM单元,具有超低电压操作的高读取稳定性和写入能力
机译:面向未来超低功耗微电子的新型8-T CNFET SRAM单元设计。
机译:超低输入单管连接读取库方法使NGS系统能够为广泛应用产生准确和经济的长读取信息
机译:超低电源过程容忍10T(PT10T)SRAM,具有改进的读/写能力,用于物联网(IOT)应用程序